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三维材料IV扫描测试用S型源表
近些年来，我国各行各业迅猛发展，特别在科学研发*域，例如仪器仪表测量*域的数字示波器，数字万用表，数字源表等，它们的诞生都有 个共同点，那就是细分类，专注某个环节性功能而补齐，数字源表今天在测量仪器行业市场中，发挥着怎样的作用呢？笔者专注测量仪器行业服务多年，今天就分享给朋友们。数字源表之间高度的命令兼容性，使得测试工程师在维持现有测试平台的同时，仍可以不断投资新技术。提供了电流电压测量，同时也提供
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2025-09-30 |
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医疗/美容激光器测试用脉冲电流源
医疗/美容激光器测试用脉冲电流源认准普赛斯仪表，PL系列窄脉冲LIV测试系统内置LIV测试软件加速用户完成测试,输出电流脉冲窄,输出脉冲电流大,达30A,支持USB存储, 键导出测试报告，详询 八 四零六六三四七六窄脉冲LIV测试系统简介PL系列窄脉冲LIV测试系统是为大功率激光器LIV测试而研制的，大功率激光器使用直流或者宽脉冲加电时发热严重，而激光器特效受温度影响非常大，直流或宽脉冲下的测试结果并不能反映器件特性。PL系列产
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2025-09-30 |
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电流-导通电压扫描测试用脉冲电源HCPL100型大电流
HCPL100电流-导通电压扫描测试用脉冲电源高电流脉冲电源为脉冲恒流源，具有输出电流大（1000A）、脉冲边沿陡（10uS）、支持两路脉冲电压测量（峰值采样）、支持输出 性切换等特点。设备可应用于肖特基二 管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合，使用该设备可以独立完成电流-导通电压扫描测试。器件测试项肖特基二 管，整流桥堆瞬时前向电压IGBT器件IGBT导通压降、键合线阻抗IGBT模块，IPM模块IG
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2025-09-30 |
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肖特基二 管高电流测试用脉冲电源
HCPL100肖特基二 管高电流测试用脉冲电源高电流脉冲电源为脉冲恒流源，具有输出电流大（1000A）、脉冲边沿陡（10uS）、支持两路脉冲电压测量（峰值采样）、支持输出 性切换等特点。设备可应用于肖特基二 管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合，使用该设备可以独立完成电流-导通电压扫描测试。器件测试项肖特基二 管，整流桥堆瞬时前向电压IGBT器件IGBT导通压降、键合线阻抗IGBT模块，IPM模块I
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2025-09-30 |
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数字源表iv扫描miniled电性能
概述LED（全称为Light-emitting diode）是 种能发光的半导体电子元件。和普通的二 管 样，这些半导体材料会预 透过注入或搀杂等工艺以产生p、n架构。LED只能够往 个方向导通（通电）,当在两端加载合适的电压后，电流可以从p （阳 ）流向n （阴 ），而相反方向则不能。两种不同的载流子：空穴和电子在不同的电 电压作用下从电 流向p、n架构。当空穴和电子相遇而产生复合，电子会跌落到较低的能阶，同时以光子的模式释放出能量，即发
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2025-09-30 |
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S型源表搭建半导体霍尔效应测试实验
半导体材料的霍尔效应是表征和分析半导体材料的重要手段，可根据霍尔系数的符号判断材料的导电类型。霍尔效应本质上是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用引起的偏转，当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，形成附加的横向电场。根据霍尔系数及其与温度的关系可以计算载流子的浓度，以及载流子浓度同温度的关系，由此可以确定材料的禁带宽度和杂质电离能；
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2025-09-30 |
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S型源表搭建集成电路实验平台
本科生集成电路实验目的通过实验动手操作，加深对半导体物理理论知识的理解，掌握半导体材料和不同器件性能的表征方法及基本实验技能，培养分析问题和解决问题的能力。本科生集成电路实验目录实验 ：金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性IV特性测试实验实验二：四探针法测量半导体电阻率测试实验实验三： MOS电容的CV特性测试实验实验四：半导体霍尔效应测试实验实验实验五：激光二 管LD的LIV特性测试实验实验六：太阳能电池的特性
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2025-09-30 |
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S型源表搭建微电子器件与材料实验
本科生微电子器件及材料实验目的通过实验动手操作，加深对半导体物理理论知识的理解，掌握半导体材料和不同器件性能的表征方法及基本实验技能，培养分析问题和解决问题的能力。本科生微电子器件及材料实验目录实验 ：金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性IV特性测试实验实验二：四探针法测量半导体电阻率测试实验实验三： MOS电容的CV特性测试实验实验四：半导体霍尔效应测试实验实验实验五：激光二 管LD的LIV特性测试实验实验六：
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2025-09-30 |
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