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半导体IV特性曲线分析仪
半导体IV特性曲线分析仪之数字源表之间高度的命令兼容性，使得测试工程师在维持现有测试平台的同时，仍可以不断投资新技术。提供了电流电压测量，同时也提供高速、精准及智能方案，节省了时间和测试台空间普赛斯S系列数字源表优点，四象限工作，源和负载，电压及电流范围广，电流100pA~1A，电压0.3mV~300V，准确度为0.1%；5寸触摸显示屏图形化操作，内置强大的功能软件，加速用户完成测试；支持多种通讯方式，RS-232、GPIB及以太网
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2025-09-30 |
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半导体分立器件测试仪
半导体分立器件测试仪之数字源表认准普赛斯仪表，厂*直销、服务完善！普赛斯S型源表国产自主研发，单通道，不支持脉冲输出，触摸屏操作，支持多种通讯方式，RS-232、GPIB及以太网； 大输出电压达300V， 小电流分辨率10pA，支持USB存储， 键导出数据报告，S系列源表价格优势明显；普赛斯S型数字源表应用：分立半导体器件特性测试，电阻、二 管、发光二 管、齐纳二 管、PIN二 管、BJT三 管、MOSFET、SIC等；能量与效率特性测试，LED/
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2025-09-30 |
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miniled电性能IV扫描测试用源表
LIV 即光电特性，是验证激光二 管、探测器性能的普遍的方法。在晶圆、切割、管芯、封装后老化测试过程中，为降低生产成本同时增加产品吞吐量，快速可靠的LIV测试系统对制造光电器件的工厂是很重要的。根据Laser Diode工作原理，通常技术人员要用到电流源来驱动 LD 工作，产生光的同时用光功率计测量光功率来完成LIV特性测试。在不同的测试阶段例如Chip 测试，技术人员将电流源、电压表、电流表、开关、同步触发单元、光功率计集成
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2025-09-30 |
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S型源表应用之microled电性能IV测试
LIV 即光电特性，是验证激光二 管、探测器性能的普遍的方法。在晶圆、切割、管芯、封装后老化测试过程中，为降低生产成本同时增加产品吞吐量，快速可靠的LIV测试系统对制造光电器件的工厂是很重要的。根据Laser Diode工作原理，通常技术人员要用到电流源来驱动 LD 工作，产生光的同时用光功率计测量光功率来完成LIV特性测试。在不同的测试阶段例如Chip 测试，技术人员将电流源、电压表、电流表、开关、同步触发单元、光功率计集成
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2025-09-30 |
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IGBT半桥模块高电流测试用脉冲电源HCPL100
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2025-09-30 |
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整流桥堆高电流测试用脉冲电源HCPL100
HCPL100 整流桥堆高电流测试用脉冲电源高电流脉冲电源为脉冲恒流源，具有输出电流大（1000A）、脉冲边沿陡（10uS）、支持两路脉冲电压测量（峰值采样）、支持输出 性切换等特点。设备可应用于肖特基二 管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合，使用该设备可以独立完成电流-导通电压扫描测试。器件测试项肖特基二 管，整流桥堆瞬时前向电压IGBT器件IGBT导通压降、键合线阻抗IGBT模块，IPM模块IGBT
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2025-09-30 |
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车载激光雷达EEL激光器测试用脉冲电流源PL型
车载激光雷达EEL激光器测试用脉冲电流源PL型技术优势和特色1）技术优势（1）超窄低至100ns的脉冲发生器技术；（2） 低的脉冲过冲控制技术，可小于3%；（3）精密的脉冲宽度可调节技术；（4）超高速脉冲采样技术，确保在窄脉冲下采样到正确的数据；（5）超高速同步技术，确保电流、电压、PD光电流同时采样；（6）支持多台并联测量电流需求更大的激光器。2）特色（1）量身定制化的LD和Vcsel测量仪表；（2）可为LD和Vcsel提供窄到100n
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2025-09-30 |
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脉冲电源高电流测试IGBT器件
脉冲电源高电流测试IGBT器件认准武汉生产厂家普赛斯仪表，高电流脉冲电源为脉冲恒流源，具有输出电流大（1000A）、脉冲边沿陡（10uS）、支持两路脉冲电压测量（峰值采样）、支持输出 性切换等特点。设备可应用于肖特基二 管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合，使用该设备可以独立完成电流-导通电压扫描测试。器件测试项肖特基二 管，整流桥堆瞬时前向电压IGBT器件IGBT导通压降、键合线阻抗IGB
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2025-09-30 |
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